（报告出品方/作者：招商证券，鄢凡、曹辉）

一、国内高压超级结MOSFET器件龙头，创新IGBT结构拓宽产品线

1、公司概况：国内高压超级结MOSFET龙头厂商，产品已进入工业和充电桩领域

东微半导专注半导体器件技术创新，超级结高压大功率MOSFET已进入工业及充电桩等应用领域。公司成立于年，年制造出世界上首个半浮栅晶体管，可用于新型存储器、感光器件及功率器件等。年，公司半浮栅器件技术论文在美国《Science》期刊上正式发表，并在8月9日被新闻联播头条长篇报道。年，公司开始量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET，成为国内工业级大功率系列高压MOSFET的供应商。

年，公司新能源汽车充电桩用核心功率器件芯片成功量产，并进入到充电桩核心芯片市场，打破了国外企业对这一产品的垄断，同时公司发明的原创结构SFGMOS实现量产，进入到新能源汽车驱动、电池保护及同步整流等应用领域。

年，公司GreenMOS大功率超结MOSFET在充电桩等高端应用中被众多一线客户采用。年公司推出Tri-gateIGBT（TGBT）系列，H1实现销售收入22.95万元。

联合创始人龚轶和王鹏飞合计控制公司32.63%股份，元禾、聚源聚芯、哈勃投资等一级明星机构均持有公司股份。

①实际控制人情况：王鹏飞及龚轶为公司的联合创始人，两人与其一致行动人卢万松、王绍泽于年12月签署一致行动协议，约定卢万松、王绍泽就公司的经营管理和决策事项与王鹏飞、龚轶保持一致行动。截至年2月10日，王鹏飞直接持有公司12.07%股份，通过作为苏州高维的执行事务合伙人间接控制3.32%股份；龚轶直接持有9.96%股份，通过作为得数聚才的执行事务合伙人间接控制2.11%股份；王鹏飞和龚轶的一致行动人卢万松、王绍泽分别直接持有公司3.54%、1.63%股份；

②中新创投和原点创投：中新创投为苏州元禾控股的全资子公司，原点创投则为中新创投的全资子公司，中新创投直接持有公司5.34%股份，通过原点创投间接持有11.39%股份，合计持有16.73%股份；

③聚源聚芯：持股7.46%，国家集成电路产业投资基金和中芯晶圆股权投资（宁波）为聚源聚芯的有限合伙人，其中中芯晶圆股权投资（宁波）为中芯国际的全资子公司；

④哈勃投资：年7月进入，目前持有公司4.94%股份；

⑤其他：智禹博信、智禹淼森、智禹博弘、智禹东微四家公司的私募基金管理人均为苏州丛蓉投资管理合伙企业（有限合伙），四家公司合计持有5.5%的股份；中小企业发展基金、国策投资、天蝉投资、中金证券分别持有3.73%/1.69%/1.03%/0.75%，丰熠投资和丰辉投资合计持有1.13%。

东微半导子公司广州动能从事分立器件和集成电路的设计、制造、销售等业务，截止H1尚未开始经营。子公司香港赛普锐思不从事实际生产经营活动。上海和深圳分公司从事电子产品的设计、开发、销售、技术咨询转让等业务。

2、主营业务：采用Fabless模式，主要产品为高压超级结和中低压屏蔽栅MOSFET

东微半导采用Fabess模式，产品包括高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET和IGBT。

1）高压超级结MOSFET：H1营收2.39亿元，占比达74.55%，是主要的营收来源，产品规格数有近千种，应用于工业领域的新能源汽车充电桩、车载充电器、5G基站电源及通信电源和消费领域的PC电源、适配器等；

2）中低压屏蔽栅MOSFET：H1营收0.8亿元，占比24.96%，产品规格数为款，应用于工业领域的电动工具、逆变器、UPS电源及消费领域的移动电源、适配器等；

3）其他产品：①超级硅MOSFET是公司自主研发、性能对标氮化镓功率器件的高性能硅基MOSFET产品，主要应用于工业领域的新能源汽车充电桩、通信电源及消费领域的快充、TV电源板等，H1营收占比0.42%；②IGBT：采用具有独立知识产权的TGBT器件结构，是一种区别国际主流IGBT的创新型器件结构，实现了关键技术参数的大幅优化，应用于工业领域的新能源汽车充电桩、变频器、逆变器等及消费领域的电磁加热等，H1营收占比0.07%；③Hybrid-FET器件：兼具IGBT、超级结MOSFET等功率器件的优点，其工艺技术包括全新的器件结构及电流动态调整技术，可实现高速关断和大电流处理能力，具有更加宽广的安全工作区域，可提高产品的整体稳定性，目前逐步开始产业化。

东微半导MOSFET器件已进入下游领先客户如比亚迪、英飞源、华为等。①汽车相关领域：高压超级结MOSFET在比亚迪和杭州铁城信息科技公司的车载充电机、车载小电机等产品中有所应用，积累了新能源汽车直流充电桩领域的终端用户如英飞源、英可瑞、特锐德等；②5G基站电源及通信电源领域：终端用户包括华为、维谛技术、麦格米特等；③工业电源领域：终端用户有高斯宝、金升阳、雷能、通用电气等；④消费电子领域：积累了大功率显示电源领域的终端用户如视源股份、美的、创维、康佳等。

3、财务分析：下游产品结构调整叠加新客户开拓顺利，驱动销量和营收增长

东微半导~年营收CAGR为26.4%，业绩预告全年营收中值为7.87亿元，同比增长%。~年公司营收分别为1.53/1.96/3.09亿元，CAGR为42.11%。Q1~Q3营收5.59亿元，指引预计全年营收中值为7.87亿元，主要系年以来公司高压超级结MOSFET器件价格上升，叠加销量稳定增长，同时中低压屏蔽栅MOSFET器件和晶圆销量均保持增长。

公司工业级应用营收占比50%左右，消费类应用营收占比30%左右，20年以来工业应用营收增速开始高于消费类。公司工业级应用的收入主要来自各类工业及通信电源（包括工业电源、5G基站电源、通信电源、车载电源和服务器电源等）、新能源汽车充电桩和大功率照明电源领域等，~H1营收占比分别为62.76%/53.07%/54.17%/51.10%，消费类应用的收入主要来自消费电子设备和显示器电源领域等，~H1营收占比分别为22.20%/35.17%/33.26%/29.64%，年公司工业级应用营收占比较年略有下降，系公司年向消费类市场开拓，来自消费类应用的收入增长较快所致。年工业级营收增速加快，开始高于消费类增速，系主要通信电源客户增加对公司产品的采购，以及导入新客户供应链后开始逐步对其供货，公司来自通信电源领域的收入增长较快。

东微半导营收以高压超级结和中低压屏蔽栅MOSFET为主，H1IGBT贡献合计22.95万元的营收。1）按产品品类：H1高压超级结MOSFET营收占比达74.55%，中低压屏蔽栅MOSFET营收占比24.96%，超级硅MOSFET和TGBT分别于年和年开始小批量生产并实现销售，~H1超级硅MOSFET营收8.32/40.36/.31万元，TGBT在H1营收22.95万元；2）按产品形态：公司销售的产品以功率器件成品为主，~H1功率器件成品营收占比均超过80%，晶圆产品营收占比低于20%。

对比同业公司，新洁能沟槽型和屏蔽栅MOSFET合计营收占比达80%以上，超级结MOSFET占比在10%左右。新洁能、、H1沟槽型MOSFET营收占比为64.5%/60.46%/47.82%，重点供应工业变频、轨道电源、智能穿戴等行业；屏蔽栅MOSFET营收占比为22.63%/24.5%/39.46%，主要着力于汽车电子、5G基站电源、工业电源等行业的需求；超级结MOSFET营收占比为12.87%/15.04%/8.81%，在充电桩、服务器电源、植物照明、TV电源等行业都取得了良好的销售业绩；新洁能自21Q2推出IGBT模块后，已取得部分客户的订单，H1营收占比达3.91%。

东微半导~H1毛利率波动幅度较大，主要受上游晶圆代工价格波动及功率器件单价波动影响。公司年毛利率同比-11.45pcts，系国内晶圆代工市场短期内供需不平衡，晶圆平均采购单价上涨，导致高压超级结MOSFET器件成品的单位成本上涨，同时中低压屏蔽栅MOSFET的部分客户终端产品销售端承压，叠加行业新进入者增多，市场竞争加剧，器件成品的销售单价有所下降。年以来，公司毛利率稳步上升，系国内晶圆代工厂商积极扩产，晶圆代工市场供不应求状况有所缓和，晶圆代工厂商适当下调晶圆代工价格，此外，H1公司高压超级结MOSFET终端应用结构变动，应用在5G基站电源、通信电源、新能源汽车直流充电桩、工业电源等领域的占比提升，产品单价和毛利率均相应提高，中低压MOSFET市场价格上涨，叠加中低压屏蔽栅MOSFET功率器件成品的晶粒面积下降，单片晶圆实际可封装成品数增加，单位成本下降。

行业对比来看，东微半导毛利率低于新洁能，系产品结构存在较大差异。东微半导~H1高压超级结MOSFET营收占比为81.45%/80.28%/80.66%/74.55%，屏蔽栅MOSFET营收占比18.51%/19.68%/19.21%/24.96%，新洁能沟槽型和屏蔽栅MOSFET合计营收占比达80%以上，超结MOSFET占比在10%左右。具体产品拆分来看，两家公司高压超级结MOSFET毛利率差别不大，东微半导中低压屏蔽栅MOSFET毛利率低于新洁能。同时，高压超级结MOSFET的毛利率较沟槽型MOSFET毛利率低，系高压超级结MOSFET晶圆成本显著高于沟槽型和屏蔽栅MOSFET晶圆成本。

东微半导~H1期间费用率逐步下降，系营收增加带来的规模效应。~H1公司期间费用率分别为18.08%/10.94%/9.04%/6.84%，随收入增长逐步下降。、年公司对部分核心员工实施了三次股权激励，合计产生股份支付费用.15万元，分别计入销售费用、管理费用和研发费用中。H1财务费用率同比下降较多，系定期存款产生的利息收入较多。

随着毛利率上升和三费率下降，东微半导净利率稳健增长，受益于公司营收的大幅上升，年归母净利润迎来爆发式增长。公司年利润下滑系主营业务成本上升，毛利润下滑，~H1归母净利润稳步上升，分别为0.09/0.28/0.52亿元，扣非归母净利润分别为0.08/0.20/0.48亿元。公司业绩预告全年归母净利润区间为1.32~1.53亿元，同比增长%~%，扣非归母净利润区间为1.27~1.47亿元，同比增长%~%。此外，公司~H1政府补助分别为.72/.17/.65/.92万元。

4、研发实力：核心创始人有国际功率大厂研发经历，研发人员占比接近一半

东微半导研发人数不断上升，研发成果转化率较高。截止H1，公司员工人数合计68人，研发人数31人，占比达45.59%。年公司员工数为53人，营收3.1亿元，人均创收达万元，具备较高的研发成果转化率。此外，截至年6月30日，公司已获授权专利53项，包括境内专利38项（其中发明专利37项、实用新型专利1项），以及境外专利15项，加上申请中专利，合计项目超过项。

公司高管具有AMD、英飞凌等国外半导体企业技术开发的工作经历，首席技术官王鹏飞曾在《Science》发表论文。董事长兼总经理龚轶先生曾担任超微半导体工程部工程师、英飞凌科技汽车电子与芯片卡部门技术专家；董事兼首席技术官王鹏飞先生曾担任英飞凌科技存储器研发中心研发工程师、奇梦达公司技术创新和集成部门研发工程师，同时有作为复旦大学微电子学院教授的经历，年在《Science》发表论文《ASemi-FloatingGateTransistorforLow-VoltageUltrafastMemoryandSensingOperation》，提出并实现了一种新型的微电子基础器件：半浮栅晶体管（SFGT，Semi-Floating-GateTransistor），这是我国科学家在该顶级学术期刊上发表的第一篇微电子器件领域的原创性成果。

剔除股份支付费用后，东微半导~H1研发费用逐年上升，研发费用率在5%左右。剔除股份支付费用后，公司~年研发费用分别为0.08/0.11/0.16亿元，H1研发费用0.17亿元，超过年全年研发投入。~H1公司剔除股份支付费用后的研发费用率为5.39%/5.62%/5.18%/5.14%，整体维持在5%左右。

东微半导产品研发工程部门的主要研究方向有高压器件、中低压器件和新型大功率器件，已取得国内外多项专利。公司产品研发工程部门负责各项新型产品的研发、实验测试等工作，~H1公司产品开发团队人数分别为6/7/9/10人，在研晶圆数量分别为///种。截至H1，公司已获授权的专利53项，包括境内专利38项，其中发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利15项。

东微半导目前在多个方向开展研发工作，布局第三代半导体功率器件。公司目前已进入风险试产阶段的研发项目有第三代超级结器件、超低FOM及高性能的VSGT功率器件、12英寸大晶圆60V-VSGT、12英寸先进工艺GreenMOS超级结MOSFET；目前处于立项阶段的研发项目有超级硅功率器件、8英寸线V及以上GreenMOS高压的超级结芯片、V以下三栅IGBT、V及以上三栅IGBT。此外，公司于年7月立项了第三代半导体SiC功率器件自主研发项目，主要针对以碳化硅为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发，目前该项目处于立项阶段。

5、募投项目：拟募集9.39亿元用于MOSFET、IGBT及SiC功率器件的开发和升级

东微半导本次合计拟募集9.39亿元，其中4.82亿元投向产业化及建设项目，4.57亿元用于科技与发展储备资金。公司超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金拟投入募集资金分别为2.04/1.08/1.70/4.57亿元，所占比例分别为21.75%/11.47%/18.09%/48.68%，前三个项目的建设周期均为3年。根据东微半导上市公告书，最终实际募集资金净额为20.07亿元。

超级结与屏蔽栅功率器件项目对高压超级结及中低压屏蔽栅MOSFET产品的设计及工艺技术等方面进行改进和提升。其中，高压超级结MOSFET产品升级具体包括8英寸第三代超级结MOSFET产品、12英寸先进工艺超级结MOSFET产品的设计及工艺技术提升；中低压屏蔽栅MOSFET产品升级具体包括第三代高速屏蔽栅中低压MOSFET及高鲁棒性中低压MOSFET产品的设计工艺技术提升。

新结构功率器件项目拟在未来三年陆续推出高速率IGBT、超级硅MOSFET以及新一代高速大电流功率器件产品。其中，IGBT产品研发涉及V以下三栅IGBT、V及以上三栅IGBT、车规级高可靠性IGBT及12英寸先进制程IGBT产品系列的研发及产业化；超级硅MOSFET产品研发涉及第一代及第二代超级硅MOSFET的研发及产业化；新一代高速大电流功率器件系列主要为V/VHybrid-FET器件的研发及产业化。

东微半导技术研发工程中心将以市场需求为导向，围绕SiC器件、新型硅基高压功率器件进行产品技术的创新和新技术方案的开发。公司依靠在超级结MOSFET领域积累的技术优势及设计和开发平台，围绕SiC器件、新型硅基高压功率器件方向进行产品技术的创新研发，开发新的技术方案，增加功率器件失效性和可靠性的固定资产投入，优化实验环境，提升测试效率，进一步保障产品质量。公司计划在超薄晶圆背面加工技术、高功率密度芯片、模块封装技术方向进行持续研发投入，提高工艺技术，进一步提升产品性能。

二、东微半导MOS性能可对标国际厂商，已切入高速增长的充电桩领域

1、高压超级结MOS市场规模增速高于中低压MOS，公司高压产品市占率国内领先

MOSFET是三端器件，由栅极（G）、漏极（D）和源极（S）组成，由栅极电压驱动，由输入电压控制输出电流。根据导电沟道的不同，可以分为N沟道和P沟道；根据导电方式的不同，可以分为增强型和耗尽型。MOSFET禁带宽度较宽，开关速度快，易于工作和恢复，同时具有输入阻抗大、驱动功率小、工作频率高的特点。功率MOSFET的电压驱动、全控式和单极型特性决定了其在功率器件中的独特定位：工作频率相对最快、开关损耗相对最小，但导通与关断功耗相对较高、电压与功率承载能力相对较弱，常用于电路中电信号的放大或者作为开关使用，在消费电子、汽车电子和工业等领域应用广泛。

不同结构MOSFET适用不同电压范围，MOSFET主要用于高频率和中低压中小功率应用中。①平面型MOSFET：面世最早，可承受较高电压，在通信、消费电子、汽车和工业领域应用广泛，但是芯片的面积较大，且损耗较高；②沟槽型MOSFET：相比于平面型降低了损耗，但是耐压也有所降低，通常用于低压领域（V左右）；③超级结MOSFET：SuperJunction，最新一代广泛应用的MOSFET器件，其可以在保持耐压的同时，达到降低损耗的目的，还能保持较高的工作频率，主要应用在高压领域（-V），在电动车充电器、充电桩等领域有广泛应用；④屏蔽栅MOSFET：Shielded-GateTrench，打破了硅限，大幅降低了器件的导通电阻和损耗，主要用于中低压领域（V左右），应用于常见的消费电子、家电、工控等领域。（报告来源：未来智库）

高压超级结MOSFET市场规模低于中低压MOSFET，但其成长性优于中低压MOSFET。根据Omdia，年全球和中国高压超级结MOSFET的市场规模分别为9.4/4.2亿美元，预计将于年分别增长至10.0/4.4亿美元，CAGR为1.56%/1.7%。此外，根据Omdia，年全球和中国中低压MOSFET的市场规模分别为52.4/21.2亿美元，预计年会下滑至49.2/21.2亿美元，CAGR为-1.56%/-3.15%。随着下游应用领域推动技术发展、行业生态向更高性能的产品演进，预计高压超级结MOSFET在高压MOSFET市场的占比也将持续提升。

欧美日企业主导MOSFET器件竞争格局，高压MOSFET国产化率低于MOSFET整体国产化水平。年中国MOSFET器件市场中，英飞凌和安森美分别以24.95%和16.81%市占率排名第一和第二，CR10合计份额74.55%，欧美日企业主导MOSFET器件竞争格局，中国企业华润微、扬杰科技、安世、华微电子进入前十，四家公司的合计市占率达14.34%。东微半导、新洁能、龙腾股份年高压超级结MOSFET营收分别为1.57/1.2/0.5亿元，国内市占率分别为4.97%/3.8%/1.6%，合计为10.37%，国产化率低于MOSFET整体国产化率，未来成长空间相对更大。

东微半导年国内高压超级结MOSFET市占率达8.6%，中低压MOSFET市占率0.4%。根据Omdia，东微半导年高压超级结与超级硅MOSFET产品合计营收约为2.5亿元，占全球高压超级结市场3.8%，占中国高压超级结市场约为8.6%，在高压超级结MOSFET领域有较高市占率。H1，公司高压超级结及超级硅产品营收已超2.4亿元，同比增长%，实现了较大幅度的增长，预计在高压超级结MOSFET领域的市占率将进一步提高。公司年中低压屏蔽栅MOSFET营收0.6亿元，约占全球中低压MOSFET市场规模0.2%，占中国中低压MOSFET市场规模0.4%。

2、公司MOSFET产品型号数逾千种，性能优良比肩国际领先厂商

东微半导高压超级结MOSFET主要为GreenMOS系列，拥有近千种型号。公司高压超级结MOSFET覆盖V~V工作电压，最大可提供A静态电流，并拥有近千种型号，公司的高压MOSFET产品全部采用超级结结构，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性高的特点。

公司GreenMOS产品包括标准通用、E、S、Z四个子系列及超级硅MOSFET产品：

1）四个子系列：标准通用系列可广泛应用于各种开关电源系统的高性能功率转换领域；S系列具备EMI优化的特点，适用于对EMI要求较高的电源系统，如LED照明、充电器、适配器以及大电流的电源系统中；E系列具备EMI性能平衡特点，开关速度介于标准通用系列和S系列之间，适用于TV电源、工业电源等领域；Z系列集成了快恢复二极管，适用于各种半桥拓扑电路、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域；

2）超级硅MOSFET：通过调整器件结构、优化制造工艺，突破了传统硅基功率器件的速度瓶颈，在电源应用中达到了接近氮化镓功率器件开关速度的水平。相较于氮化镓功率器件产品，公司的超级硅MOSFET产品采用硅基材料，具有工艺成熟度高、工艺成本低及高可靠性等技术特点及竞争优势，特别适用于高密度电源系统，如新能源汽车充电桩、通信电源、工业照明电源、快速充电器、模块转换器、快充超薄类PC适配器等领域，目前已有18种型号进入量产。

东微半导GreenMOS系列产品优值与国际领先厂商高压超级结MOSFET器件水平可比。高压MOSFET产品性能的关键指标是导通电阻Ron与栅极电荷Qg的乘积优值FOM，相同导通电阻下，栅极电荷越小则优值越低，器件的动态损耗越小，整体性能越强。在电压为V、导通电阻为0.16Ω左右下，英飞凌G7的IPDD60RG7优值最小，公司GreenMOS系列OSG60RFF的优值为3.50Ω·nC，略高于英飞凌产品的优值。与国产品牌相比，公司的GreenMOS系列产品的优值处于明显优势地位。

东微半导新型超级硅产品的优值性能达到了国际先进水平，在主流快速充电器应用中能获得接近GaN功率模块的效率和功率密度。公司的超级硅MOSFET拥有高速开关及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近GaN功率模块的效率和功率密度，与传统的功率器件相比具有明显优势。公司新型超级硅产品OSS60RFF型号的优值为2.53Ω·nC，可对标业内领先的氮化镓器件公司Transphorm产品，具备较强的市场竞争力。

东微半导中低压屏蔽栅MOSFET主要包括SFGMOS、FSMOS产品系列，工作电压覆盖25V~V，合计型号数近种。①SFGMOS系列采用自对准屏蔽栅结构，兼备了传统平面结构和屏蔽栅结构的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等，分为低Vth和高Vth系列，低Vth系列适用于驱动电压较低的同步整流类电源系统，高Vth系列适用于驱动电压在10V以上的电源系统；②FSMOS系列采用基于硅基工艺与电荷平衡原理的新型屏蔽栅结构，兼备普通VDMOS与分裂栅器件的优点，具有更高的工艺稳定性、可靠性、较低的导通电阻与器件的优值、更高的应用效率与系统兼容性，主要应用于对功率密度有更高要求的快速充电器、电机驱动等。

东微半导主要的中低压MOSFET产品与国际领先厂商差距较小，与国内厂商相比性能处于前列。DFN5×6封装是中低压MOSFET产品的主流封装之一，具有高密度、扁平化的优点。以DFN5×6封装为控制变量的条件下，公司在60V电压下的中低压屏蔽栅MOSFET器件SFS06RUGF的Ron导通电阻最小达到1.35mΩ，安森美的NTMFS5CNL型号产品导通电阻最低，达到0.93mΩ，英飞凌和意法的同类型产品的导通电阻最小达到1.2mΩ，较公司的产品低11%。公司SFS06RUGF产品的FOM优值为mΩ·nC，与英飞凌、安森美的产品接近，与国际领先水平的差距较小。公司上述两款产品与国内同类型产品相比处于明显领先地位。

3、受益于工业及通信电源/充电桩的稳健成长，高压MOSFET市场未来增速稳健

（1）我国充电桩市场规模以近30%的增速成长，kW充电桩的功率器件价值量-美元

充电桩按充电能力分类，以处理不同的应用场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。

目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩，部分功率器件解决方案使用超级结MOSFET。①单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主；②三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从-年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器，其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。

超级结MOSFET应用于充电桩的功率因数校正（PFC）、直流-直流变换器及辅助电源模块等，kW的充电桩需要功率器件价值量在-美元。年新增公共直流桩平均充电功率达.76kW，预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在kW左右。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PFC，PowerFactorCorrection）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。据英飞凌统计，kW的充电桩需要功率器件价值量在~美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。

伴随新能源汽车保有量的高速增长，~年中国新能源汽车充电桩行业市场规模CAGR将维持在29%。截至年12月，全国充电基础设施累计数量为.2万个，其中公共桩55.7万个，私人桩87.4万个，专用充电桩24.1万个。~年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至55.7万个，CAGR达57.21%。根据头豹研究院预测，~年中国新能源汽车充电桩行业市场规模CAGR将维持在29%，到年增长至.0亿元。

（2）5G基站需求量是4G时代的2~3倍，功率半导体用量达4G时代的4倍

5G时代总体基站需求量是4G时代的2-3倍，功率半导体用量是4G时代的4倍。

1）5G基站功率更高、建设更为密集，总体基站数量需求是4G的2-3倍。根据华为

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