存储产业：现代文明传承与延续的基石

信息存储的需求基石，来源于文明传承与延续，随着世界数字化趋势而爆发增长

从文明诞生以来，人类就一直在寻求能够更有效存储信息的方式，从4万年前洞穴壁画、年前泥板上楔形文字、竹签、书本，现代的存储模式已经主要为光盘、U盘、硬盘等等，存储器的更新换代从未停止。

随着科技的发展，存储需求量级发生了巨大的增长，也促使存储量级及存储介

质发生了深远的变化。据IDC预测，全球数据圈（每年被创建、采集或复制的数据集合）将从年的32ZB增至年的ZB，增幅超过5倍。

其中，中国数据圈增速最为迅速，年，中国数据圈占全球数据圈的比例为23.4%，即7.6ZB，预计到年将增至48.6ZB，占全球数据圈的27.8%，中国将成为全球最大的数据圈。

数据产生量的爆发式增长驱动对存储需求大幅增长，也促进了存储方式的进一步创新和发展。

数字存储主要有光学、磁性及半导体三大存储介质，增量已超2ZB/年

按照存储介质的不同，现代数字存储主要分为光学存储、磁性存储和半导体存储三类。

光学存储包括CD、DVD等常见形式。磁性存储包含磁带、软盘、硬盘等。半导体存储是存储领域应用最广、市场规模最大的存储器件，包括当前主流的易失性存储器DRAM，和非易失性存储器NANDFLASH、NORFLASH等等。

随着技术的发展，存储器尺寸逐渐缩小，存储容量大幅提升，单位GB存储价格迅速下降。年代，磁带平均容量仅为2.3MB，而每GB价格却高达英镑，年代流行的软盘价格更是高达2-3万英镑/GB。

伴随着硬盘技术的发展及普及，存储价格迅速下降，年代，单位GB存储价格跌至英镑以下，CD-ROM价格仅为6.03英镑/GB。21世纪开始，DRAM、闪存进入人们视野，成为主流存储方式，存储价格进一步下降，单位GB存储价格平均为0.5-0.8英镑。

硬盘仍存储全球大部分数据，闪存存储容量迅速上升。

从全球存储容量来看，年全球存储年新增总容量约为1.8ZB，随着互联网的进一步发展，预计到年全球存储年新增总容量将达到4.7ZB。

尽管半导体存储器已成为主流存储器，但全球大部分数据仍然使用硬盘存储。闪存存储容量近年来大幅提升。年，65.5%数据由硬盘存储，而闪存、DRAM、磁带、光学存储器分别为20.0%、0.5%、8.0%、7.0%。

由此可见，硬盘仍存储全球大部分数据，是存储市场不可或缺的重要存储方式。从存储市场规模来看，年机械硬盘市场规模约为亿美元，占据总体市场的32.25%；DRAM市场规模约为亿美元，占33.24%；FLASH市场规模约为亿美元，占26.46%。

半导体存储市场规模达千亿美元，为最重要的数字存储介质

半导体行业可以细分为存储芯片、逻辑芯片、模拟芯片、传感器、分立器件等。存储器是半导体行业的一大分支，几乎所有常见电子设备都需要使用存储器，应用领域广泛。半导体存储器市场占半导体市场26%左右，是半导体行业一大分支。

年以来，全球存储器市场占半导体市场的份额维持在20%-25%，其中年和年高达30.07%和33.70%。年，全球半导体市场规模为.07亿美元，存储器市场规模为.4亿美元，占据半导体市场的25.82%。半导体存储器是半导体行业中极为重要的组成部分。

半导体存储器市场变化与半导体行业变化基本一致，但具有更强波动性。

存储器作为半导体的子行业，其周期变化基本和半导体行业周期变化一致，但存储器的波动性更强。

因此，当半导体行业处于景气周期时，存储器市场表现更佳，以年为例，半导体行业规模同比增长21.62%，存储规模同比增长高达61.49%。而当半导体行业处于不景气状态时，存储市场亦会表现更不理想，以年为例，半导体行业规模同比下降12.05%，但存储市场下降高达32.62%。

年存储行业下降速度处于近20年来最快水平，但同时也为未来增长奠定基础。年由于供需错配导致存储价格下降，存储行业规模大幅下降。但随着服务器需求稳步上升、5G、物联网进一步发展，未来半导体行业将迎来景气周期，存储行业也将受益。

DRAM和NANDFLASH是半导体存储器市场规模中最大的存储器。年，DRAM占半导体存储器市场的58%，NANDFLASH占40%。此外，NORFLASH随着新兴市场的崛起，市场空间将逐步恢复。

以史为鉴而知兴替，大浪淘沙，谁又将主宰明天

存储行业遵循着摩尔定律，每18个月集成度提升1倍，意味着性能提升1倍，而单位价格却下降一半。

半导体存储产品在过去的60多年里，每一种主流产品的技术都快速演进与迭代，对于玩家来说即是机遇也是危险，每一次新技术的迭代充满着客户选择的未知，需要玩家全力以赴，如果踩准市场需求，则一个小玩家也能平地而起，而如果猜错路线，则大玩家也面临无情淘汰。

1、机械硬盘，雄风犹在，企业级应用成未来主战场。

机械硬盘曾是存储王者，是计算机的主要存储介质。近年来由于SSD（固态硬盘）集成度更高，HDD(机械硬盘)逐渐失去消费级市场份额。

随着云计算、互联网的发展，企业级数据存储需求增长较快，HDD凭借成熟稳定、成本更优、寿命周期长等优势，成为数据中心标配。近年来HDD全球字节出货量明显上升，年达1.18ZB，超全球存储市场字节出货量的一半。

截止年HDD市场集中度较高CR4为79%，领先企业分别为三星、西部数据、希捷，其市场份额为33.6%、24.6%和15.7%。

2、DRAM过去50年多年搏杀惨烈，王朝几经更替。

在过去50多年里，DRAM市场呈现每4~5年单位价格变为1/10，其背后的杀伐异常惨烈。而纵观DRAM发展历史，本身DRAM产品在成本、技术、品质等为核心竞争要素，而背后需要企业在融资能力、产业链配套及人才梯队等全方位储备，考验企业系统性的资源调动能力。

DRAM厂商从曾经的“百花齐放”形成目前的“三国鼎立”局面，三星、镁光、SK海力士成为DRAM领域最终玩家，三家合计市场份额达95%，而各家分别为43.5%，29.2%和22.30%。

3、FLASH将为新一代存储主力，成兵家必争之地。

近年来随着消费电子领域的需求增长，FLASH市场规模呈现快速增长趋势，特别是NANDFLASH已成为手机、笔记本等主力存储介质，而价格方面基本符合摩尔定律的下降趋势。

NAND市场格局主要有三星、铠侠、西部数据等企业主导，分占市场份额的33.5%、18.9%和14.3%，行业CR4达80.2%。NORFLASH主要有旺宏、华邦、兆易创新等，市场份额占NORFLASH市场的26%、25%、19%。

机械硬盘，雄风犹在机械硬盘，曾经存储王者，未来以企业级应用为主HDD(机械硬盘)是传统普通硬盘，主要由盘头、磁片、盘片转轴及控制电机、磁头控制器、数据转换器、接口和缓存等几个部分组成。

磁头可沿盘片的半径方向运动，加上盘片每分钟几千转的高速旋转，磁头就可以定位在盘片的指定位置上进行数据的读写操作。信息通过离磁性表面很近的磁头，由电磁流来改变极性方式被电磁流写到磁盘上，信息可以通过相反的方式读取。

每个硬盘的中心都有高速旋转的磁盘，磁盘表面有高速扫过的记录磁头，每个磁盘上都覆盖着一层薄薄的微小的磁化金属粒，数据以一种肉眼无法分辨的形式存在，很多组微小颗粒形成的磁化图案记录形成了数据，每一组成为比特，所有微粒都按照自身的磁性排列，形成两种状态之一，对应0或1，将比特信息通过电磁铁转换成电流，数据就能被读写在硬盘上。

这块磁铁会产生一个强大磁场，足以改变金属微粒的磁性，当信息写入磁盘，驱动使用磁读写器将其还原成有意义的形式。

目前机械硬盘市场规模整体约亿，占总体存储市场规模约32%，位列数字存储市场规模第二，年出货量约为不到4亿个。机械硬盘出货量-年稳定增长，从年的1.05亿个增长至年的6.51亿个，达到历史最高点。

随着存储器的更新迭代，尤其是SSD（固态硬盘）技术的进步，机械硬盘的地位受到挑战，年开始出货量整体呈现下降趋势，截至年全球机械硬盘出货量下降至3.72亿个。以后机械硬盘厂商数量逐渐减少。年以前，机械硬盘市场集中度较低，各厂商竞争激烈。而后，市场集中度提升，西部数据、希捷等厂商成为机械硬盘龙头，占据全球市场超过90%份额。

总容量出货上升，HDD成数据中心标配。云计算、互联网等带来了旺盛的数据存储需求，且对存储容量及稳定性要求较高。相比SSD（固态硬盘），机械硬盘具有寿命长、成熟稳定、容量大的性能优势，成为数据中心的首选。

因此，虽然HDD产品出货量近年来呈现下降趋势，但总容量出货明显上升，HDD年机械硬盘字节出货量为1.18ZB，出货容量超过全球存储年出货容量的50%。云计算、互联网的发展将推动HDD产品持续增长。

机械硬盘每GB价格呈现下降趋势。机械硬盘面市之初价格较高，年机械硬盘每GB价格约为.24美元。随着技术的进步，机械硬盘成本下降，价格也随之下降，年每GB价格仅为0.美元。

-年，硬盘确立温氏架构现代硬盘雏形诞生于年，由IBM制造，存储容量仅为5MB。年，采用“温氏架构”的IBM问世，标志着硬盘基本架构的确立。这种硬盘拥有几个同轴金属盘片，盘片上涂有磁性材料。

他们与能够移动的磁头共同密封在一个盒子中，磁头从旋转的盘片读出磁信号的变化。-年，IBM先后发明了Merlin技术、ThinFilm磁头，驱动硬盘数据定位准确性、硬盘密度都大幅提升。

年代，家用PC硬盘崭露头角硬盘容量不断提升，家用PC硬盘崭露头角。

年，希捷公司由两位前IBM员工创立，开发并推出第一款5.25英寸规格5MB硬盘，这是首款面向个人用户的硬盘，它的出现推动了计算机的诞生。

年，希捷又推出第二款容量达10MB的硬盘产品，并在市场蔓延开来。而正是年，IBM发布了IBM个人计算机，这是计算机领域具有里程碑意义的飞跃。

受益于较为小巧的体积，简单的操作，IBM发布的个人电脑大受欢迎，随着个人电脑普及，也带动了家用PC硬盘快速增长。

年代，硬盘技术快速升级，IBM开创民用级GB硬盘先河硬盘存储密度大幅提升。曾在年代末，IBM已推出MR（MagnetoResistive磁阻）技术令磁头灵敏度大大提升，盘片的存储密度较之前的20Mbpsi（bit/每平方英寸）提高了数十倍，为硬盘容量的巨大提升奠定了基础。

年，GMR（GiantMagnetoResistive）巨磁阻技术的成功研发进一步提升了存储密度。如果用MR磁头能够达到3-5Gb/平方英寸的存储密度，使用GMR以后存储密度可达到10-40Gb/平方英寸。

民用级硬盘进入GB时代。年，IBM出了首款应用MR技术的3.5英寸的1GB硬盘-E12，开创了民用级GB硬盘的先河，从此硬盘容量开始进入GB数量级，3.5英寸的硬盘规格也由此成为现代计算机硬盘的标准规格。

21世纪初期，容量突破TB级别，硬盘厂商进入整合期垂直存储技术出现，再一次提高硬盘存储密度。

年日立环储发布了全球首款1TB硬盘，硬盘售价为美元，平均每美元可购得2.75GB硬盘空间。该硬盘采用垂直存储技术，将平行于盘片的磁场方向改变为垂直，更充分地利用了存储空间。

此外，垂直存储技术能耗小，发热量减小，改善了数据抵抗热退减的能力，提高了硬盘的可靠性。

硬盘厂商进入整合期。年起是硬盘行业的整合期，希捷、西数、IBM、三星、迈拓、昆腾、东芝、富士通等各大硬盘厂商竞争激烈。

年迈拓收购昆腾，年日立环储IBM硬盘事业部，年希捷宣布收购迈拓，年，富士通硬盘被东芝收购，形成希捷、西数、日立、三星、东芝“春秋五霸”时代。年西部数据收购日立环储、希捷收购三星硬盘，形成“三国鼎立”局面。

年是HDD产业高峰。年上半年日本发生地震，下半年泰国发生洪水。

其中日本厂商是重要的磁头、磁盘、马达等HDD配件供应商，泰国是重要的HDD制造基地，这两次自然灾害产生了重大影响，导致年HDD硬盘出货量锐减，但也让HDD硬盘价格上升。

-年，HDD逐步进入数据中心主力，消费级增长显现放缓机械硬盘自身瓶颈难以突破，SSD大敌崛起。

受限于物理结构瓶颈，机械硬盘体积难以缩小或成本较高，增长前景显现停滞。从市场格局来看，三星的市场份额从10.0%上升至年的33.6%，西部数据从29.6%下降至24.6%，希捷从31.4%下降至15.7%，日立从16.4%下降至2.3%，大部分机械硬盘厂商减少了机械硬盘的生产。

SSD崛起，HDD市场受到冲击。固态硬盘（SolidStateDrives）由多个闪存颗粒和主控芯片组成，没有运动结构设计；而机械硬盘有碟盘和读写磁头组成。

SDD不仅拥有更快的读写速度，而且具有低功耗、防震抗摔性好、发热低等优势。

随着SSD平均价格与HDD平均价格差异的逐渐缩小，以及SSD各方面的性能优势，硬盘市场逐渐被SSD占领，HHD出货量从年开始明显下降。

数据中心、云存储带动企业级HDD需求增长。

随着云计算、5G、物联网、人工智能、大数据带来的全新发展，全球正形成以数据为核心的生态圈，企业级用户对于数据存储的大容量需求愈加明显，将HDD在企业级领域的发展推向了新高度。

年全球云计算市场规模达亿美元，-年CAGR高达18.0%，且有望继续呈现快速上升趋势。

与此同时，年全球IDC（互联网数据中心）市场规模增长至.1亿美元，-年CAGR为17.6%。

成熟稳定、成本更优，HDD成数据中心标配。

尽管SSD可以发挥闪存性能上带来的应用加速，但大量的数据存储依然需要生命周期更长、成熟稳定、成本更优的HDD企业级大容量硬盘来支撑。

在数据中心、云存储的趋势下，HDD大容量硬盘依然是企业数据中心的标配，市场需求有望进一步增长。

DRAM战场硝烟弥漫DRAM战场，50多年搏杀，王朝几经更替动态随机存取存储器（DynamicRandomAccessMemory）DRAM是一种半导体存储器，通常以一个电容和晶体管为一个单元排成二维矩阵。

DRAM利用电容内存储电荷情况来代表二进制比特是1或0。由于晶体管电路会有漏电电流，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确地识别。因此DRAM需要周期性地充电，因此被称为“动态”存储器。DRAM基本的操作机制分为读（Read）和写（Write）。

读的时候先让字线（Bitline）充电到操作电压的一半，开关晶体管(由位线控制)，若电容内部存储的值为1，则Bitline的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半；反之，若内部存储的值为0，则会把Bitline的电压拉低到低于操作电压的一半。得到Bitline电压后，经过放大器判别出内部值为0或1。

写的时候把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。

目前DRAM市场规模整体约亿，占总体存储市场规模约33%，位列数字存储市场规模第一。

近年来受益于数据资料中心、智能手机、加密货币等市场需求，DRAM市场规模总体呈现上升趋势，年由于前期扩产能和去库存等因素，市场规模有所下降。

自年IBM成功研发MOS型RAM存储以来，符合摩尔定律，每18个月集成度提升1倍。

DRAM型存储运用的MOS技术，不仅能耗少、读写速度快且集成度高，因此DRAM成为而后数十年计算机内存的主流技术。截至年，三星已成功开发出基于10nm线宽的DRAM产品。

在过去50多年里，存储每GB价格总体呈现每4~5年价格变为1/10，近年来价格下降趋势有所缓和。

年存储每GB价格约为3.22亿美元，数据存储成本极高。随着存储技术的进步以及美、日、韩厂商之间的激烈竞争，存储成本下降，年每GB价格仅为7.26美元。

DRAM战场硝烟弥漫，50多年的搏杀，目前韩国企业独占鳌头，三巨头成鼎立之势。近10年来DRAM市场集中度逐渐上升。

DRAM厂商从曾经的“百花齐放”形成目前的“三国鼎立”局面，三星、镁光、SK海力士成为DRAM领域最终玩家。

-年，IBM率先研发MOS型RAM存储成功，开启半导体存储的历史年由DRAM之父IBM的罗伯特·登纳德博士所在的IBMThomasJ.Watson研发中心成功研发MOS型晶体管+电容结构的DRAM存储。年加州的先进内存系统公司正式商业推出此款DRAM。

DRAM型存储运用的MOS技术，不仅能耗少、读写速度快且集成度高，帮助存储形式从笨重的磁鼓结构快速缩小，因此DRAM成为而后数十年计算机内存的主流技术。

年代，DRAM快速商业化，前期Intel一家独大，后期Mostek成为霸主年代前期Intel一家独大，占据全球超80%份额。

Intel研究小组利用MOS工艺开发出1kbDRAM，并通过解决各项生产工艺缺陷，于年在其3寸晶圆厂成功量产C，奠定了DRAM快速商业化的基础。

由于当时大中型计算机使用的磁鼓存储器笨重昂贵，Intel向计算机用户大力宣传DRAM，年凭借1KDRAM取得巨大成功。到年，Intel的DRAM市场份额达82.9%。

年代后期，Mostek击败Intel，成为DRAM市场最大厂商。年美国其他厂商例如德州仪器、Mostek(由德州仪器的前员工于年创立)、日本厂商NEC等先后进入DRAM市场，德州仪器推出成本更低的4KDRAM，Mostek推出针脚更少的4KDRAM，均成为Intel的强劲对手。

年，Mostek推出的MK采用了POLY-II（双层多晶硅栅工艺），容量达16K，大获成功，占领75%的DRAM市场。而后继续持续推出新产品，进一步获得市场份额，在70年代后期，一度占据DRAM市场85%份额。

但后来为应对来自资本市场的恶意收购，导致股权结构大幅变动，经营战略发生调整，管理层动荡及技术人员流失，公司发展遭遇较大障碍。年四个Mostek的离职技术人员创立了另一个未来的存储巨头--镁光。

回顾来看，Intel由于多线作战焦点分散、技术路径选择及市场预判失误，丧失了DRAM的技术先发优势，DRAM市场份额呈现较快下降。Intel的存储一度风光无限，而后逐步丧失领先，令人唏嘘，以后有机会再详细展开。

年代，日本DRAM厂商后发先至，进入增长爆发期举国体制，日本VLSI联合研发成功，日本半导体产业技术快速进步。

年日本VLSI联合研发体成立，设立了6个实验室，从高精度加工技术、硅结晶技术、工艺处理技术、监测评价技术、装置设计技术等方向入手，成功攻克了包括电子束光刻机、干式蚀刻装置等半导体核心加工设备，以及领先的制程工艺和半导体设计能力。在VLSI项目的推动下，日企年研制成功64KDRAM，已成功赶上美企DRAM研发进度。随后日本DRAM产业进入增长爆发期。

年日本DRAM内存在美国市场大获成功，当时主流提供K内存公司中，日本企业有富士通、日立、三菱、NEC、东芝等多家，而美企仅有摩托罗拉，而仅NEC九州工厂的KDRAM月产量，就高达万块。

年，日立生产的DRAM内存已开始采用1.5um生产工艺，三菱甚至公开4MDRAM关键技术。到年，仅东芝一家，每月1MDRAM产量就超过万块。

“低价优质”日本产品横扫美国市场，Intel含恨退出。到s年代中期，日本厂商的DRAM产品技术领先，产品质量更好而价格却更低，几乎横扫了美国市场。

截至年，日本存储器产品的全球市场占有率上升至65%，而美国则降低至30%。年，陷入泥潭的Intel不得已宣布退出DRAM市场。

年代，韩国DRAM产业扭转乾坤，乘家用PC之风而起飞韩国政府重视半导体产业投入，初期研发进展落后于日本。

其实早在日本启动VLSI研究项目的同时(年)，韩国政府已在龟尾产业区建立韩国电子技术研究所（KIET），分为半导体设计、制程、系统三大部门，并都交由从美国半导体产业回来的技术专家负责，大量招收美国归来的韩系工程师，集中研发集成电路关键技术。但直到日本DRAM厂商受到打压，韩国半导体企业才真正获得良机。

日美关系转变，日本DRAM产品性价比大幅下降。

年美国里根总统开启了第二届任期，而随着美国与苏联的冷战威胁减弱，以及美国政府赤字急剧增加，美国政府对日本经济的扶持政策发生了转变，日美贸易摩擦逐步增加，年美国主导的《广场协议》开启了日元升值之路，美国半导体协会也发起了对日本半导体等产品的反倾销诉讼，而后达成了对日本半导体产品的价格监督协议。

上述种种，直接导致日本DRAM产品价格大幅提升，产品性价比快速下降，这给了韩国半导体产业可乘之机。家用PC需求爆发，韩厂成功切入，成为DRAM市场领先企业。

年代中后期开始，韩国三星，LG、现代和大宇等财阀，通过购买、引进DRAM技术专利及加工设备，对其进行消化吸收并在此基础上持续投入研发，以追赶技术差距。

直到年代后期，家用PC电脑兴起，且产品换机时间大幅缩短为3-5年，普通消费者对价格敏感，而对使用寿命要求不高，且日本半导体产品受到美国压制，韩国DRAM产品才得以逐步扩大市场份额。

年，三星率先攻破技术壁垒，推出世界第一个64MDRAM。此后，三星继续提高研发投入，到年又开发出第一个1GBDRAM。三星电子DRAM芯片出口额达到62亿美元，位居第一；现代电子居世界第三。截至年，占DRAM份额前五的韩厂有两家，分别为三星和现代，其中三星占23.00%，位居第一；现代占19.36%，位居第三，韩厂领导DRAM市场。

三星电子受益PC电脑兴起快速成长。年受益于Windows95的带起电脑销售热潮，三星电子营收从年的.75亿美元增长至年的.96亿美元，毛利率和净利率也同比增长。

-年间由于DRAM价格下降，公司营收也体现出不同程度的下降。

在日美韩的DRAM厮杀之中，镁光科技是为数不多的存活下来美系DRAM厂商。年到年，受益于PC的发展，镁光营收从3.33亿美元增长到29.53亿美元，复合增速达54.70%；且毛利率和净利率均呈现上升趋势。

然而-年间，供过于求带来的DRAM价格跌落驱动公司营收逐年下降，毛利率和净利率也逐年下降，年发生了亏损。

纵观-年存储价格走势，前半场价格先抑后扬，后半场加速下跌。年住友树脂厂的爆炸导致内存价格回升，年Windows95的发布也加大了对内存的需求。

然而年底全球各8英寸厂产能持续开出，驱动DRAM市场由卖方市场变为买方市场，造成价格大幅跌落。各厂商被迫削减4MDRAM产量，降低DRAM厂投资规模和进度，并开始主导推出16MDRAM产品。

年代，DRAM价格潮起潮落，DRAM玩家格局越发集中年全球遭遇互联网危机，DRAM价格跳水。-年由于产能过剩引起的价格跌落在、年得到缓解。

然而好景不长，年全球遭遇互联网危机，PC市场规模大幅下降，而三星、镁光、海力士、英飞凌等龙头企业刚经历扩产，供大于求引起了DRAM价格跳水，年，DRAM市场规模从亿美元跌至亿美元。-年，价格垄断和汽车领域需求增长，驱动DRAM市场有所恢复。

尽管年全球GDP下滑，PC、手机产能过剩导致需求增速放缓，但这一阶段整体DRAM市场增长良好。年，三星开发出世界第一个50nm1GBDRAM；海力士开发出世界最高速的MHzMBMobileDRAM；年三星开发出世界第一款40nmDRAM等等。

随着结构尺寸的缩小，存储器工作速度增加，功耗降低，提高了自身的性能。-年，金融危机叠加供过于求导致DRAM市场遭受暴击，行业面临洗牌。年微软推出Vista系统，该系统对内存消耗较大，DRAM厂商预期内存需求大增纷纷增加产能，但Vista销量不及预期。导致供过于求。

与此同时，三星仍然进一步扩大产能，加剧了行业亏损。年，全球金融危机，DRAM价格更是一路下降，甚至跌破材料成本。经过短暂恢复，各大厂商开始向新工艺发展、扩大产能，年，DRAM供应量再次超过实际需求，奇梦达和尔必达先后宣布破产。

三星、镁光、海力士成DRAM领域最终玩家。经历了年是内存界格局的巨变，现代与LG合并，后从现代集团拆分改名海力士；镁光收购德州仪器内存部门。到年三星、镁光、海力士、英飞凌占据市场8成份额。

英飞凌因年金融危机，将内存部门拆分出去。直到年，DRAM供应量再次供大于求，而价格暴跌。奇梦达和尔必达先后宣布破产，三星、海力士、镁光成为DRAM领域形成三国鼎立之势。

从DRAM市场变化分析对SK海力士和镁光的财务影响。从SK海力士和镁光科技表现来看，年和年两者营收稳步上升。

但随后DRAM市场价格跳水，两者年营收大幅下降，且毛利率和净利率进一步下降。随后市场回暖，-年，营收呈现温和上升趋势，毛利润和净利润表现有所改善。

而年Vista销量不及预期叠加年全球金融危机再一次给公司营收带来床上，毛利润甚至为负。DRAM市场短暂恢复后，年供过于求局面再次出现，毛利率和净利率再次下降。DRAM领域奇梦达、尔必达等厂商未能撑过此次危机，先后宣布破产。

年代，“三足鼎立”态势形成，十年间无人撼动年以后，三星、海力士、镁光形成三国鼎立局面。

-年，三大DRAM厂商为提高自身市占率，继续大打价格战，DRAM价格不断下跌。

-年，受益于数据资料中心、智能手机市场需求，DRAM市场迎来增长。伺服器DRAM、移动DRAM需求成长，DRAM厂商的供应量增长低于市场需求量，DRAM价格一路上扬。此外，运算加密货币所需的绘图型DRAM推动了市场供不应求加剧。

年，由于前期产能扩张和去库存因素，存储芯片价格下跌较多。加密货币市场价格崩塌、智能手机市场进入成熟期，驱动市场进一步需求疲软，DRAM市场规模下降。

最后DRAM厂商从曾经的“百花齐放”形成目前的“三国鼎立”局面，三星、镁光、SK海力士成为DRAM领域最终玩家，三家合计市场份额达95%，分别为43.5%，29.2%和22.30%。

从镁光和SK海力士的经营情况看，-年DRAM价格下降较快，两者毛利率均比较低迷。-年受益于数据资料中心、智能手机等需求的增长，以及厂商对供应量的控制，DRAM量价齐升，营收增长，毛利率增长。年营业收入同比下降，主要原因是前期产能扩张和去库存等。

年代，以史为鉴，合肥长鑫踏上新征程

在过往历史中，中国台湾也与韩国同时期发力DRAM产业，最终发展三十多年来却成效不大，值得中国企业引以为戒。产业认为一方面原因在于台湾政府对DRAM产业支持力度有限，缺乏产业主导能力，导致台湾DRAM产业始终小而散，无法建立起足够的竞争优势，失去了宝贵的时机。

另一方面，由于半导体产业门槛高、周期强，只有拥有强大融资能力及产业定力的企业，在产业低谷时才能抵御亏损的压力，而在平常时候，又需要持续高强度的资本支出保持技术及规模优势，而小而散的企业，往往抵御风险能力不强，投资资本强度也不够，从而一直处于被动和落后的状态。

纵观美国、日本、韩国与中国台湾半导体发展史，可以有几点经验分享与探讨。

1、半导体行业，具有一定程度的后发优势，核心设备的迭代至关重要。

由于半导体工艺、设备及材料进步非常快，而新玩家进入半导体行业时，没有历史资产及折旧包袱，并有机会用新设备及新材料，从而达到更好的产出率及更高的产品良率，故有一定的“后发优势”。

从日、美、韩的经验显现，中国半导体产业希望实现反超，离不开关键设备的迭代能力，但若希望基业长青，设备自主创新能力就至关重要。

2、半导体产业，初期成长，需要拥有较为可靠的电子中游制造及品牌终端予

以支持。日本、韩国能实现后发而先至，在成长初期，都基于已经拥有较好的电子中游制造能力及品牌终端需求支持，两者缺一不可，这也是为什么除德国以外，其他国家始终没有较大的DRAM厂商进入历史舞台。

而中国目前迎来了较好的时机，也即是中国强大的电子中游制造能力及本土品牌终端的崛起，给予中国半导体产业良好的成长土壤。

3、半导体产业，需要人才，需要资金，更需要产业定力。

从日本、韩国等DRAM发展历史经验显示，举国体制、单点突破及以点带面是发展半导体产业的有效方式。当前的半导体产业需要数以千亿计的资本实力、以数十年计的产业定力，才能形成合力并坚持到产业的黎明。

而从中国台湾DRAM厂经验中了解，若没有此时此地的鱼死网破及孤注一掷，也很难看到彼时彼地的美好未来与锦绣明天，一旦选择开始，则必须全力以赴，没有退路。中国DRAM大厂，长鑫存储蓄势待发。2

年9月21日，媒体报道，总投资超过2亿元的合肥长鑫集成电路制造基地项目在合肥签约，其中长鑫12寸存储器晶圆制造基地项目总投资约亿元。公开资料显示，至年年底，长鑫存储已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过人，核心技术人员超过。

年11月，大基金等产业资本增资长鑫母公司亿，且产业链预计长鑫存储17nm内存有望明年问世，明年产能将位列全球DRAM第四。

FLASH为新一代存储主力FLASH成为兵家必争之地闪存(Flash)是属于内存器件的一种，其具有非易失性（Non-Volatile）。

在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。闪存是一种电压控制型器件。

其存储单元类似MOSFET(金属-氧化物半导体场效应管)的三端器件，有源极、漏极和栅极。而其在栅极与硅衬底之间有额外一层栅极，用以存储电荷，名称为“浮置栅极”其外部包裹二氧化硅绝缘层，因此电荷不会泄漏，所以闪存具有记忆能力。NANDFLASH和NORFLASH是闪存的两大主要产品。

NAND擦和写均是基于隧穿效应，电子穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）；NOR在擦除数据时也基于隧穿效应，但在写入时采用热电子注入方式。这一不同点也驱动NOR的工作功耗高于NAND。

NANDFLASH写入速度方便，而NORFLASH读取速度快。FLASH器件在写入操作前必须先执行擦除，NAND擦除操作简便，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写入数据，然后才能做擦除，因此NAND写入速度比NOR快很多。

NORFLASH应用简便。NOR带有通用的SRAM接口，可轻松挂接在CPU地址、数据总线上，应用程序可以直接在闪存内执行。而NAND则使用复杂的I/O口来串行读取数据。另外，由于NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出。

FLASHMEMORY市场规模整体约亿~亿美元，占总体存储市场规模约26%，位列数字存储市场规模第三。

其中NANDFLASH约为亿美元，NorFLASH约为20亿美元。NANDFLASH市场规模整体呈现上升趋势。NAND技术不断进步，2DNAND向3DNAND转变，3DNAND堆叠层数提升，存储容量增长。

随着消费类产品如智能手机以及企业SSD需求的增长，NAND市场规模呈现上升趋势。NANDFLASH市场集中度较高。年形成三星、铠侠、西部数据、镁光、SK海力士、Intel主导的NANDFLASH市场格局，分占市场份额的33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和9.5%，行业CR4达80.2%。

尽管NORFLASH写入和擦除速度较慢，但读取速度较快。

初期电脑、笔记本以及功能手机等均应用NORFlash产品，主要需求在于系统底层程序读取，而对写入和擦除要求不高，因此在功能手机时代，NORFLASH风靡一时。-年智能手机快速崛起，NANDFLASH的高密度存储优势逐渐显现，大规模替代NORFLASH。

年NORFLASH市场规模跌入谷底。近年来，NORFLASH市场规模逐渐扩大。当电子设备启动时，需要从存储芯片内读取系统信息并运行，该存储芯片需要满足可执行运行程序且掉电后存储的数据不丢失。DRAM掉电后数据会丢失，而NANDFLASH无法执行程序，因此NORFLASH应用极其广泛。

以TWS耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的AMOLED和TDDI技术，以及功能越来越强大的车载电子领域，成为NORFLASH市场空间获得重新增长的主要动力，年开始，NORFLASH市场规模逐步扩大。

近年来中国台湾厂商NORFLASH份额较高，大陆厂商兆易创新位列第3。台湾旺宏、华邦和大陆的兆易创新在NORFLASH的市场份额逐渐上升，而三星、美光等半导体大厂逐渐退出。年，旺宏、华邦、兆易创新分别占NORFLASH市场的26%、25%、19%。

FLASH单位GB价格不断下降。年FLASH价格约为美元，到年该价格下降至0.22美元。随着2DNAND、3DNAND的陆续出现及技术的成熟，FLASH单位GB价格不断下降。

年，FLASH概念提出，NOR和NAND正式诞生FlashMemory(闪存)由东芝公司的当时舛冈富士雄博在年申请叫做simultaneouslyerasableEEPROM的专利，但东芝刚开始疏忽了它。

年，舛冈富士雄博在IEEE国际电子元件会议上正式发表了这项发明。年，Intel迅速注意到这项发明的巨大潜力，并成立专注于SSD的部门，年，Intel根据这个发明，进而生产了第一款KbitNOR闪存芯片。

年，舛冈富士雄博士又发明了NAND闪存。NAND闪存凭借更快的写入效率、和更低的生产成本，很快成为手机等主流存储介质。

从后期发展来看，NAND集成度高、成本较低，读写速率适中，非常适合用于消费电子设备的大量数据存储介质，随着手机、笔记本电脑等市场需求，市场规模迅速增长。而NORFlash物理底层架构导致单位成本较高，因此没有大范围成为存储主流介质。

而NORFlash具有较高的读取效率，较低的擦/写速度，因此运用场景更像只读ROM的一种，特点是写入一次，基本上就不再擦写，只用于读取，且可以直接挂在数据总线上，运行程序效率异常高，用于各种嵌入式体系的基础系统存储。

-年，便携式电脑和手机需求带动NAND市场规模快速成长年起，多家厂商推出闪存产品，便携式电脑推动闪存第一波成长。年，Intel推出首款商用闪存芯片，主要用于计算机存储。同年闪迪成立。

此后，闪迪、Intel、西部数据、三星、东芝等厂商都推出了闪存产品。闪存市场呈现较快增长。在年规模达到1.35亿美元，年达到2.70亿美元，年升至6.40亿美元。年年中，Intel推出的奔腾处理器以及同步推出的笔记本大受市场欢迎，闪存市场在年规模达到8.65亿美元，年直接增长至18.60亿美元。年起，手机带动消费级闪存市场，迎来再次爆发。

年东芝推出了SmartMedia存储卡，也称为固态软盘卡。三星开始发售NAND闪存。SanDisk推出了采用MLC串行NOR技术的第一张闪存卡。年，第一部手机开始配置闪存，消费级闪存市场就此打开。

年，受益于手机、数码相机、便携式摄像机、PC机外存、MP3播放器等新生代信息电器，FLASH凭借其性能可靠性和应用灵活性，市场规模迅猛提升，到年，市场规模上升至45.61亿美元。

国际厂商不断进入闪存领域，抢占市场份额。年，仅有Intel决定全新投入闪存业务，但AMD、SGS-Thomson、富士通等在注意到Intel的转变后，也进入了闪存的生产。

年，Intel一家占据FLASH市场份额的75%，AMD为第二大厂商，占据10%。然而到年底，Intel的市场份额下滑到26%，AMD占16%，富士通占15%，夏普占13%。

-年，固态硬盘开始发展，闪存厂家增多NAND产品性价比提升，固态硬盘开始加速发展。

4年，NAND价格首次低于基于同等密度的DRAM价格，固态硬盘开始大范围进军笔记本电脑市场。年，三星率先采用70nm制程量产NAND闪存，镁光也推出NAND产品，NAND总发售容量超过DRAM。继年，希捷和三星推出混合硬盘后，各厂商陆续推出固态硬盘产品，戴尔、苹果对自身笔记本电脑配置SSD，带动了SSD的需求，也促进了SSD技术的发展。

市场需求日益增长，多家半导体厂商进入闪存市场。年代末，闪存市场规模持续扩大，现存的闪存厂商无法完全满足日益增长的市场需求，三星、东芝、闪迪等半导体厂商抓住市场扩大机会，进入闪存市场。

此外，由于FLASH平均价格高于DRAM平均价格，部分生产DRAM的公司也纷纷将DRAM产线转移至FLASH。截至年末，闪存厂商已从年的少于15家增长至至少28家。

年，FLASH价格大幅下降，一方面是由于数码相机市场的衰退导致需求量急剧减少；另一方面是因为进入闪存市场厂家增多，价格竞争日益激化。

-年，3DNAND成为发展方向，SSD朝企业级发展，NORFLASH迎来新增长3DNAND技术不断提升，SSD面向企业级应用发展。年，三星创造了3DNAND，推出第一代3DNAND闪存芯片。

随后，闪迪、东芝、Intel、西部数据发售3DNAND产品。3DNAND技术不断发展，堆叠层数不断提升，容量越来越大。年，闪迪推出企业级SSD。Intel着手向企业级市场发售3DNAND产品，而镁光则改道消费级市场发售SSD。

通过整合并购，NANDFLASH市场集中度逐步提高，由三星、铠侠、西部数据、镁光、海力士等主导。年起，LSI收购Sandforce、SanDisk收购IMFT、苹果收购Anobit、Fusion-io收购IOTurbine。

此后-年间，收购事件不断，年西部数据收购Sandisk。到年形成三星、铠侠、西部数据、镁光、SK海力士、Intel主导的NANDFLASH市场格局，分占市场份额的33.5%、18.9%、14.3%、13.5%、9.7%和9.5%，CR6高达99.4%。

年和年，NAND价格迎来翻倍。当时处于2DNAND向3DNAND切换空窗期，NANDFLASH供应减少，而需求端智能型手机和SSD容量需求依然增长，导致供不应求，引起NANDFLASH价格增长一倍多。年原厂不断扩大64层/72层3DNAND产量，导致市场供过于求，价格下降。

SSD在消费类、数据中心以及行业应用需求强劲。SSD全球出货量从年的1.3亿台增长至年的3.21亿台，复合增速高达19.82%。全球SSD市场消耗的产能已从年的38%上升到43%，尤其是企业级SSD。SSD抢占HDD市场，价格下滑是其成长动力，尤其是在消费类市场。年和年由于NANDFLASH缺货，SSD价格上涨，抑制了市场需求的增长。

年以来，SSD价格持续下滑，其中GB和GB价格累积跌幅达45%、52%，也正因为价格的下滑大大刺激了市场需求向更大容量的GB、B、GB普及。

NORFLASH历经十年低迷，新应用催生新增长。

尽管NORFLASH写入和擦除效率较低，但读取速度较快。功能手机主要需求在于内存数据读取，而对写入和擦除要求不高，因此在功能手机时代，NORFLASH风靡一时。-年智能手机快速崛起，NANDFLASH的高密度存储优势逐渐显现，大规模替代NORFLASH。年NORFLASH市场规模跌入谷底。近年来，NORFLASH市场规模逐渐扩大。

当电子设备启动时，需要从存储芯片内读取系统信息并运行，该存储芯片需要满足可执行运行程序且掉电后存储的数据不丢失。RAM掉电后数据会丢失，而NANDFLASH无法执行程序，因此NORFLASH应用极其广泛。

以TWS耳机为代表的可穿戴设备、手机屏幕显示的AMOLED和TDDI技术，以及功能越来越强大的车载电子领域，成为NORFLASH市场空间获得重新增长的主要动力，年开始，NORFLASH市场规模逐步扩大。新兴厂商进入，主攻NORFLASH。不同于NANDFLASH，NORFLASH市场出现了很多相对较小的厂商。

年，旺宏、赛普拉斯、华邦、镁光、兆易创新分占NORFLASH市场闺规模的21%、21%、21%、18%、11%。年第一季度旺宏的市场份额上升至26%，华邦上升至25%、兆易创新上升至18%，而镁光退出前四大NORFLASH公司。

年代，长江存储3DNAND迎来收获期长江存储的自主开发3DNAND快速量产，将迎来收获期。年3月28日国家存储器基地在武汉启动，同年7月26日，总投资约亿的长江存储科技有限责任公司正式成立，长江存储项目是年国家大基金单笔出资最大的项目。

公开资料显示，截至目前长江存储已在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球共有员工余人，其中资深研发工程师约2人。通过不懈努力和科技创新，长江存储致力于成为全球领先NAND闪存解决方案提供者。年3月，大基金二期表示积极支持湖北产业发展，将投资亿元左右于长江存储。

此外，年，长江存储宣布层TLC/QLC两款产品研发成功，且推出致钛系列两款消费级SSD新品。据日经社报道，长江存储有望在年底占据全球NAND市场份额的7%。

中国存储企业整装待发存储产业链大致可以分为存储支撑产业、存储制造及下游应用三个层次。存储行业的发展历程是技术和需求相互促进的演进史，技术和需求缺一不可。

国内存储产业链核心看点：国内需求基础坚实，制造端突破将带动产业链加速

发展存储制造端：长江存储、长鑫存储

武汉长江存储：自研3DNAND堆叠工艺，引领全球计划总投资约亿，全球员工已超余人，其中资深研发工程师约2人，已宣布层TLC/QLC两款产品研发成功，且进入加速扩产期，目前产能约7.5万片/月。

合肥长鑫存储：DRAM大厂产能快速建设计划总投资超过2亿元，已经建立了一支拥有自主研发实力、工作经验丰富的成建制国际化团队，员工总数超过人，核心技术人员超过。年11月，大基金等产业资本增资长鑫母公司亿，且产业链预计长鑫存储17nm内存有望明年问世，目前预计产能可达12万片/月。

存储芯片设计公司：兆易创新、澜起科技

兆易创新：NorFlash领先企业，积极布局NAND、DRAM领域，打开成长天花板年公司存储芯片营收25.56亿元，历年闪存芯片累计出货超亿颗；研发实力突出，已积累项授权专利。NorFlash全球第三，38nmSLCNAND制程产品稳定量产。与长鑫存储合作开发DRAM，年计划采购DRAM产品19.33亿元，并投入0万元于产品联合开发平台。

澜起科技：内存接口芯片全球前三，DDR5蓄势待发。年公司内存接口芯片营收17.94亿元。公司研发实力雄厚，发明的DDR4全缓冲“1+9”架构被采纳为国际标准；且是JEDEV固态技术协会董事会成员，具有重要话语权。已完成第一子代DDR5RCD研发，完成小批量出货。拓展配套电源管理芯片、温度传感器、串行检测芯片，力争提供一站式解决方案。预计年下半年实现DDR5上量。

存储涉及设备类公司：中微公司、北方华创等

中微公司：国产CCP刻蚀龙头，ICP刻蚀机进入验证期。年公司刻蚀设备收入12.89亿元。核心技术人员超人，是国产替代化进程领跑者。CCP刻蚀设备可应用于64层3DNAND量产，并正在开发新一代层关键刻蚀产品。

ICP刻蚀设备已进入验证期，且继续研发1XnmDRAM芯片和层以上3DNAND芯片的刻蚀需求。年定增亿元，扩张产能加强研发；投资上海睿励检测设备公司，丰富产品线。

北方华创：半导体设备领先企业，刻蚀、薄膜沉积多产品发展。年公司电子工艺装备31.91亿元，涉及刻蚀机、薄膜沉积设备、清洗机等多种存储所需设备。技术和人才竞争优势显著，研发人员超0人，先后完成12寸90-28nm制程刻蚀机公关工作，PVD、CVD、PVD技术储备均达28/14nm节点。14nm制程刻蚀机设备已交付验证，将持续推进对先进制程设备的研发。

精测电子：从0到1，全面布局半导体前道、后道检测领域。年公司在半导体设备板块实现零的突破，实现营收.56万元，已基本形成在半导体检测前道、后道全领域的布局。国产化研发进程快，已取得项专利。合资武汉精鸿聚焦ATE领域，有效利用ITT存储领域积累，加快研发进程，已实现小批量订单。定增投资上海精测7.43亿元，膜厚产品已取得批量重复订单，预计电子显微镜等相关设备将推向市场。

盛美半导体：单晶圆清洗设备龙头，承担清洗设备国产化重任。年实现营收1.57亿美元。公司拥有自主研发的SAPS和TEBO两项清洗技术，推出的UltsTachoe清洗设备可将硫酸使用量降低十倍。年1月8日，首台应用于大功率半导体器件制造的新款12寸单晶圆薄片清洗设备通过量产要求，提前验收。

总投资8.8亿元的盛美临港项目，计划于年竣工并开始试营，年将达产台。

沈阳拓荆：国内PECVD行业翘楚。公司已形成具有资深经验的国内外专家团队，通过多年技术积累，累计申请专利项。12寸PECVD设备PT-是我国首台自主研发的大规模集成电路专用薄膜生产设备。3DNANDPECVD设备可实现超过对的SiO2、SiN多层薄膜堆叠结构，已出厂至客户端。年获立霸股份1.33亿元投资，将进一步加快对PECVD的研发。

华海清科：首个国产CMP制造商。年CMP设备营收1.95亿元，建立稳定高效研发体系，授权及发明专利余项。作为国内唯一实现量产的12英寸CMP供应商，设备已取得量产应用，累计出货43台。CMP设备在3DNAND已突破至层，DRAM领域突破至1X/1Ynm。年开始科创板上市进程，拟募资3.5亿元用于CMP设备的进一步研发。

存储涉及材料类公司：沪硅产业、鼎龙股份、安集科技等

沪硅产业：大硅片国家队，定增发力mm硅片。年实现营收18.11亿元。技术优势显著，mm大硅片和mm及以下半导体硅片认证产品数量持续增加。

认证mm硅片累计超过50种，实现了64层3DNAND产品验证，19nmDRAM芯片和层3DNAND产品正处于认证和研发中。年2月25日，定增募集50亿元，拟使用15亿元用于mm高端硅片研发与芯片制造，预计将新增30万片/月可应用于先进制程的mm半导体硅片产能。

鼎龙股份：抛光垫半导体材料龙头，延续良好态势。年CMP抛光垫业务实现营收万元。公司研发实力雄厚，拥有专利余项。CMP抛光垫产品布局完善，成熟制程产品持续开拓市场，先进制程产品已获得客户订单。清洗液产品研发进展良好，已向客户推介。年1月15日公告拟投资1.67亿元建设集成电路CMP抛光垫项目，目标抛光垫年产能50万片，投资2亿元建设年产1万吨集成电路制造清洗液项目。

安集科技：抛光液新产品放量。年抛光液实现营收2.36亿元。公司持续加大研发投入，技术人员稳定增长，已获得项发明专利，另有项发明专利申请已获受理。钨抛光液已有多款产品应用到3DNAND先进制程，介电材料抛光液已在3DNAND先进制程中按计划进行验证。年IPO募投中1.2亿元用于CMP抛光液生产线扩建，年前期研发产品受到客户青睐，用量明显上升。

封测端：深科技、华天科技等

深科技：拟整合业务，聚焦存储半导体封测。公司拥有余名技术人员，是国内最大的专业DRAM内存芯片封测企业，能够实现封测技术自主可控。年10月，公司公告与大基金二期设立合资公司，加码存储封测和模组制造，投资30.67亿元建设DRAM存储芯片封测/存储模组/NANDFlash存储芯片封装业务，以及产能分别达0万颗/万条/万颗。年2月24日，公告称拟整合通讯与消费电子业务，聚焦存储半导体封测。

华天科技：定增扩产，提高封装技术。年集成电路业务实现营收78.61亿元。公司拥有2余名研发人员，持续开展集成电路先进封装技术和产品研发，已开发3DNAND存储器16层叠层封装技术。年1月20日，定增募资中15亿元用于存储及射频类集成电路封测产业化项目，将形成年产BGA、LGA系列集成电路封装测试产品13亿只的生产能力。

风险提示

核心假设或逻辑的主要风险

存储行业增长不及预期；国内存储科研发展进度不及预期；

半导体存储行业技术可能更替较快。

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