v双向可控硅电路图（一）

　　

　　如上图1

　　所示，左边为两个30K/2W的电阻，云云束缚输入电流为：V/60K=3.67mA，由于该路只是是为了索取交换记号，是以小电流输入便可。整流桥芯片采取小功率（2W）的KBP，以后接入一个光耦（P），云云如图1整流后记号电压值超越光耦前段二极管的导通电压时，即产生一次脉冲，光耦右边为一上拉电路，VCC为单片机供电电压：+3.3V。光耦三极管导通时，输出低电平，关上时输出高电平。

　　v双向可控硅电路图（二）

　　

　　电路见图。将两只单向可控硅SCRl、SCR2反向并联．再将把持板与本触发电路衔接，就构成了一个简略有用的大功率无级调速电路。这个电路的奇特之处在于可控硅把持极不需外加电源，唯有将负载与本电路串连后接通电源，两个把持极与各自的阴极之间便有5V~8V脉动直流电压产生，调动电位器R2便可改动两只可控硅的导通角，增大R2的阻值到必要水平，就可以够使两个主可控硅阻断，是以R2还可起开关的效用。

　　该电路的另一个特性是两只主可控硅瓜代导通，一个的正向压降便是另一个的反向压降，是以不存在反向击穿题目。但当外加电压刹时超越阻断电压时，SCR1、SCR2会误导通，导通水平由电位器R2决计。SCR3与四周元件产生普遍移相触发电路。

　　SCR1、SCR2小编采用的是封装好的可控硅模块（A／V），SCR3采用BTl36，即V的双向可控硅。本电路如用于感性负载，应增长R4，C3阻容汲取电路及压敏电阻RV做过压维护，防范负载断开和接通刹那产生很高的感觉电压毁坏可控硅。

　　v双向可控硅电路图（三）

　　双向可控硅的调光电路办事道理阐明一接通电源，V颠末灯胆VR4R19对C23充电，由于电容二端电压是不能渐变的，充电需求一按时候

　　

　　办事道理阐明

　　一接通电源，V颠末灯胆VR4R19对C23充电，由于电容二端电压是不能渐变的，充电需求一按时候的，充电时候由VR4和R19巨细决计，越小充电越快，越大充电越慢。当Ｃ２３上电压充到约为33V左右的时刻DB1导通，可控硅也导通，可控硅导通明灯胆中有电流流过，灯胆就亮了。跟着DB1导通C23上电压被完整放掉，DB1又停止可控硅也随之停止灯胆息灭。C23上又举办刚最先相同的轮回，由于时候短人眼有暂留的形势，因而灯胆看起来是始终亮的，充放电时候越短灯胆就越亮，反之，R20C24能维护可控硅，假若用在阻性负载上能够省却，假若是用在感性负载，譬如说电动机上就要加之去，这个电路也能够用于电动机调速上，当然是请求不高的景况下。

　　这个电路的益处是元件少、成本低、性价比高。瑕玷是对电源侵犯较量大、噪声大、启动电动机时刻在较小的时刻或者会发烧较量大。

　　可控硅相当于能够把持的二极管，当把持极加必要的电压时，阴极和阳极就导通了。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、把持极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即此中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，此中一只单向硅阴极与另一只阳极贯串，其引出端称T2极，余下则为把持极（G）。1、单、双向可控硅的鉴别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（RTImes;1挡），或者是A、K或G、A极（对单向可控硅）也或者是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若此中有一次丈量批示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，余下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至RTImes;1或RTImes;10挡复测，此中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。

　　v双向可控硅电路图（四）

　　

　　双向可控硅调温电路图

　　v双向可控硅电路图（五）

　　

　　VDI、VD2、Cl与C2构成简略的电容降压半被整流电源，通电后C2两头能赢得约12V左右的直流电压供光控电路用电。VT、VD3、R2、R3与RP产生光控电路，白昼光敏二极管VD3受光照耀呈低电阻，VT基极电位下落，因而VT停止，可控硅vs得不到触发电压而处于关断状况，灯H不亮。夜晚，VD3无光线照耀呈高电阻，VT的基极电位回升，VT导通，就向vs注入正向触发电流，故vs马上明白，灯H全压点亮。调动电位器RP能调动三极管VT的基极电位，进而能对光控机灵度举办调度。

　　v双向可控硅电路图（六）

　　双向可控硅无级调光器

　　

　　开灯时紧闭开关S，V交换电颠末RP1、RP2和R向电容C2充电，当C2两头电压来到双向触发二极管VD的改变电压时，VD与双向可控硅vs接踵导通，使被控照明灯H得电发光。当交换电过零反向时，vs自行关断，C2又最先反向充电，反复上述进程。看来，在交换电每一个周期内，vs在正、负半周均对称导通一次。假若调动RPI的阻值巨细，就会改动电容C2的充电速度，进而在职意半周内使vs触发导通时候前移或撤退，即改动了vs导通角的巨细，响应加在电灯H两头的均匀电压也随之改动，故能完结无级调光的宗旨。

　　v双向可控硅电路图（七）

　　

　　由图看来，由VD3、VD4、R、RP和C产生在正负两个半周内电阻不同的电容充电回路（当RP滑动端位于重心处除外），进而使可控硅vs在正负两个半周内导通角不同。再颠末二极管VD1、VD2的带领效用，使灯Hl、H2别离办事在正负两个半周期内。当电位器RP滑动端右瞬息，可控硅vs在正半周内导通角增大，而负半周内导通角减小，故使灯Hl亮度增大，灯H2亮度衰弱；如将电位器RP滑动端左移，可控硅vs在负半局时导通角加大，而正半周时导通角减小，则灯H1亮度衰弱，而灯H2亮度加大。当电位器RP滑动端位于重心地位时，因电容C在正负两半周的充电时候不异，可控硅vs在正负两半周的导通角也不异，灯Hl和H2亮度相同。因而可知调动电位器RP，能够使Hl和H2的亮度举办光滑改动过渡。

　　v双向可控硅电路图（八）

　　

　　图中Hl、H2别离为红、绿灯胆，用一只电位器RP来同时调动可控硅vsl、VS2的导通角。RP、Rl、R2和CI构成可控硅VS1的调压移相网络，RP、R1、R3和C2构成可控硅VS2的调压移相网络。接通电源后，电源颠末Rl、RP（设RP滑动端位于重心地位）和电阻R2、R3别离向电容Cl、C2充电。改动（RI+RP+R2）xCl及（R1+RP+R3）xC2的时候常数，就可以改动可控硅vsi及VS2的导通角，进而改动灯Hl、H2的亮度。由图中能够领会地看出，当RP的滑动端向左端挪瞬息，灯H1渐亮，同时灯H2渐暗：反之当滑动端右瞬息，能够使灯Hl渐暗、H2新亮。

-电子元器件购买网（ 　　单向可控硅简介

　　可控硅（SCR：SiliconControlledRecTIfier）是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种典型。它具备体积小、分量轻、效率高、寿命长、把持便利等益处，被宽泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等百般主动把持和大功率的电能变换的局面。

　　单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部把持记号效用下由关断变成导通，但一旦导通，外部记号就无奈使其关断，只可靠去除负载或下降其两头电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN构成的四层三端半导体器件与具备一个PN结的二极管比拟，单向可控硅正导游通受把持极电流把持；与具备两个PN结的三极管比拟，差异在于可控硅对把持极电流没有强调效用。

　　可控硅导通前提：一是可控硅阳极与阴极间必要加正向电压，二是把持极也要加正向电压。以上两个前提必要同时具备，可控硅才会处于导通状况。别的，可控硅一旦导通明，尽管下降把持极电压或去掉把持极电压，可控硅仍旧导通。可控硅关断前提：下降或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小保持电流下列。

　　

　　组织把持编纂单向可控硅为具备三个PN结的四层组织，由最外层的P层、N层引出两个电极――阳极A和阴极K，由中央的P层引出把持极G。电路标识好似为一只二极管，但很多一个引出电极――把持极或触发极G。SCR或MCR为英文缩写称呼。

　　从把持道理上可等效为一只PNP三极管和一只NPN三极管的衔接电路，两管的基极电流和集电极电流互为通路，具备猛烈的正反反应效用。一旦从G、K回路输入NPN管子的基极电流，由于正反应效用，两管将迅即加入饱合导通状况。可控硅导通以后，它的导通状况完整依赖管子自身的正反应效用来保持，尽管把持电流（电压）消散，可控硅仍处于导通状况。把持记号UGK的效用只是是触发可控硅使其导通，导通以后，把持记号便遗失把持效用。

　　单向可控硅的导通需求两个前提：

　　1）、A、K之间加正向电压；

　　2）、G、K之间输入一个正向触发电流记号，不论是直流或脉冲记号。

　　若欲使可控硅关断，也有两个关断前提：

　　1）、使正导游通电流值小于其办事保持电流值；

　　2）、使A、K之间电压反向。

　　看来，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发记号明白，并保持必要幅度的畅通电流的话，则可控硅会始终保持明白状况。除非将电源开断一次，才力使其关断。若用于交换电路，则在其蒙受正向电压期间，若接收一个触发记号，则始终保持导通，直到电压过零点到来，因无畅通电流而自行关断。在蒙受反向电压期间，尽管送入触发记号，可控硅也因A、K间电压反向，而保持于停止状况。可控硅器件因工艺上的割裂性，其触发电压、触发电流值和导通压降，很难有统一的标1准。可控硅器件把持实质上仿佛三极管相同，为电流把持器件。功率越大，所需触发电流也越大。触发电压领域普遍为1.5V―3V左右，触发电流为10mA―几百mA左右。峰值触发电压不宜超越10V，峰值触发电流也不宜超越2A。A、K间导通压降为1―2V。

　　单向可控硅光控电路图大全（四款模仿电路打算道理图详解） 　　单向可控硅光控电路图（一）

　　用单向可控硅的光控照明灯

　　

　　RG为光敏电阻器它与牢固电阻R产生份压器，其分压值经二极管VD整流加至可控硅vs的门极做为触发电压。白昼RG立室内当然光照耀而展现低电阻，分压值较低，不够以触发可控硅vs，故vs处于关断状况，电灯H不亮。黄昏夜幕光降时，RG无光线照耀呈高电阻，其分压值较高，经VD整流后加至vs的门板，使、俜火速明白，灯H就点亮发光。电灯在发光状况时，流过的电流是半波交换电，电灯是处于欠压状况，因而电灯的运用寿命极长，是以该电路至极实用于无人经管的大家走道照明用。

　　单向可控硅光控电路图（二）

　　

　　单向可控硅光控电路图（三）

　　单向可控硅调压电路图

　　

　　可控硅交换调压器由可控整流电路和触发电路两部份构成，其电路道理图下列图所示。从图中可知，二极管D1mdash;D4构成桥式整流电路，双基极二极管T1产生张弛震撼器做为可控硅的同步触发电路。当调压器接上市电后，V交换电颠末负载电阻RL经二极管D1mdash;D4整流，在可控硅SCR的A、K两头产生一个脉动直流电压，该电压由电阻R1降压后做为触发电路的直流电源。在交换电的正半周时，整流电压颠末R4、W1对电容C充电。

　　当充电电压Uc来到T1管的峰值电压Up时，T1管由停止变成导通，因而电容C颠末T1管的e、b1结和R2火速放电，终于在R2上赢得一个尖脉冲。这个脉冲做为把持记号送到可控硅SCR的把持极，使可控硅导通。可控硅导通明的管压降很低，普遍小于1V，因而张弛震撼器中止办事。当交换电颠末零点时，可控硅自关断。当交换电在负半周时，电容C又再行充电hellip;hellip;如斯循环往复，便可调度负载RL上的功率了。

　　单向可控硅光控电路图（四）

　　单向可控硅无级调光器

　　

　　V交换电颠末灯胆H经VD1mdash;VD4桥式整流，输出一全波脉动电压加在可控硅vs的阳极与阴极之间，为可控硅供给明白所需的正背阴极电压。此脉动电压又经R1降压、VD5剖波赢得14～17V的梯形被电压，此电压加到由单结晶体管Vlsquo;r2所构成的触发电路上，当梯形波电压屡屡下落至霉而最先回升时，电源颠末电阻RP、R6向电容C充电，使电容C两头电压陆续抬高，当升至Y12的导通电压时，VT2导通，C就颠末VT2向电阻R5放电，在R5两头即在三极管VT1的基极上赢得一正向顶端脉冲，VT1火速导通，就向可控硅vs的门极注入正向触发电压，迫使可控硅vs明白。

　　在vs明白期间因vs的压降很小，梯形波电压就险些下落为零。当交换电过零时，可控硅vs关断，梯形波电压又从零最先回升，电容C又从新最先充电，电路反复上述进程。调动电位器RP，可改动电容C充电时候快慢。当RP阻值较小时，在梯形波一个周期里（即交换电的半个周期），电容C两头电压较先来到VT2的导通电压，所咀可控硅vs的导通角较大，流过灯胆H的均匀电流大，灯胆亮度就较大；如RP的阻值调得较大，因充电时候常数较大，在梯形波的一个周期里，电容C两头电压较后来到VT2的导通电压，所咀可控硅vs的导通角就小，流过灯胆的均匀电流较小，因而发光明度也就较暗+是以颠末调动电位器RP就可以够来到改动灯胆H亮度的宗旨。

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