（报告出品方/作者：中泰证券，王芳、杨旭、赵晗泥）

1、利基DRAM主要产品，全球市场超70亿美金

1.1DDR3隶属利基DRAM，十五年发展历经辉煌与没落

存储是半导体第二大细分品类，周期波动性最强，历史成长性最好。1）市场规模：//年全球存储市场规模为//亿美金，占半导体规模的比例为28%/27%/26%，是全球第二大细分品类。2）周期波动：存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。3）成长性：-年、-年、-年存储CAGR分别为9.5%、9.7%、14.9%，均为半导体成长性最优细分产品，且近5年增速显著高于近十年和近二十年增速，成长性显著提升。

DRAM是存储器第一大市场，周期波动性最强，历史成长性最优。1）市场规模：//年全球DRAM市场规模为//亿美金，占存储的比例为61%/55%/59%，是存储第一大细分品类。2）周期波动：DRAMNANDNor及其他，DRAM周期波动性大于存储平均水平，是存储细分市场中周期性波动最大细分市场。3）成长性：从-21年、-21年、-21年存储器各细分品类CAGR看，DRAMNANDNor及其他，DRAM成长性大于存储平均水平，且近5年增速显著高于近十年增速，成长性显著提升。

DRAM属于半导体存储器，是易失性存储器的一种，主要用于电子设备的内存。半导体存储器分为非易失性存储器和易失性存储器，非易失性存储器在断电时仍然可以保存数据，包括NANDFlash、NORFlash等，易失性存储器在断电状态下数据会丢失，包括动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM）。在易失性存储器中，DRAM和SRAM的应用场景各有不同。SRAM的读写速度在所有的存储器中最快，但同时制造成本高，常用于对容量要求较小的高速缓冲存储器，如CPU的一级、二级缓存等。DRAM利用电容储存电荷的多少存储数据，需要定时刷新电路克服电容的漏电问题，读写速度比SRAM慢，但快于所有的只读存储器（ROM），且集成度高、功耗低、体积小，制造成本低，常用于容量较大的主存储器，如计算机、智能手机、服务器的内存等。除半导体存储器外，按照存储介质的不同，存储器还包括光学存储器和磁性存储器。光学存储器根据激光等特性进行数据存储，常见的有DVD、CD等，磁性存储器利用磁性特征进行数据存储，常见的有磁盘、软盘等。

同步DRAM速度更快，替代异步DRAM。按照RAM和CPU是否同频，DRAM可分为同步DRAM（SynchronousDRAM，简称SDRAM）和异步DRAM（AsynchronousDRAM）。在异步DRAM中，CPU与RAM之间没有公共的时钟信号，当RAM不能及时提供数据时，CPU需等待内存数据，这严重影响性能。为解决该问题，同步DRAM应运而生，在RAM中加入时钟输入引脚，使得CPU与RAM之间有公共的时钟信号、实现同步，此时CPU无需等待数据，读写速度加快、数据的传输效率大幅提升。异步DRAM通常适用于低速存储系统，但不适用于现代高速存储系统，在-年期间，同步DRAM逐步取代了异步DRAM，逐步占领了内存市场。

同步DRAM不断迭代，新DDR逐步替换老DDR是行业规律。根据时钟边沿读取数据，同步DRAM分为SDR（SingleDataRate）和DDR(DoubleDataRate)技术，在年之后，SDRSDRAM（有时也简称为SDRAM）逐渐被存取速度更快的DDRSDRAM取代。DDRSDRAM已经发展至第五代，分别是：第一代DDRSDRAM，第二代DDR2SDRAM，第三代DDR3SDRAM，第四代DDR4SDRAM，第五代DDR5SDRAM。每一次迭代，基本都能实现芯片性能翻倍，当新一代性能更好的DDR出现时，老一代DDR会逐渐被替代。

代数越高，功耗越低，传输速率和理论容量越高，每一代较前一代性能翻倍。相较年发布的SDRSDRAM，后面每一代DDRSDRAM在功耗、容量和传输速率上都不断改进，顺应电子设备大容量、省电、低功耗的发展趋势。其中，容量提升是来自芯片集成度的提高，传输速率的提升主要是来自预取倍数的增加。1）功耗方面，从SDR支持的3.3V降低到DDR5的1.1V，功耗降低67%。2）容量方面，随着芯片制程的缩小，存储器的集成度提高，DDR5单颗密度将从8GB起步，理论密度最高可达64GB，是SDR单颗容量的8倍不止。3）传输速率方面，通过增加预取倍数、BankGroup、DDR等技术，DDR5可以轻松实现MT/s的高运行速率，最高运行速率可达MT/s，是SDR的40倍。

技术实现路径：内部时钟频率提升不大，每一代主要通过翻倍预取来实现数据的传输速度的提升。DDR中有两个时钟频率，一个是内部时钟频率（也称为核心频率），是内存收到指令到将数据的传输到I/O接口上所需要的反应速度，这主要由存储单元内部的电容、晶体管、放大器等微观结构决定，提升难度大，所以从SDR到DDR5，内部时钟频率虽有提升但提升幅度不大；另一个是外部时钟频率（也称为I/O时钟频率），外部时钟频率在核心时钟频率的基础上，通过翻倍预取提高速度。

1）SDRSDRAM：在一个时钟周期里只在上升沿传输数据，所以SDR也叫SingleDataRateSDRAM，此时数据的传输速率的提升主要是靠提升内部时钟频率。

2）DDR1SDRAM：内部时钟频率提升难度大,因此通过在时钟周期的上升沿和下降沿各输出一次数据，相当于在一个时钟周期需要预取2倍数据，即每当读取一笔数据的时候，都会一共读取2笔的数据。因此在内部时钟频率不变的情况下，DDR1的数据的传输速率实现翻倍。

3）DDR2SDRAM：预取4倍数据，数据的传输速率达到内部时钟频率的4倍，较DDR1提升2倍。

4）DDR3SDRAM：预取8倍数据，此时数据的传输速率达到内部时钟频率的8倍，较DDR2提升2倍。

5）DDR4SDRAM：标准型DDR的总线位宽是64bit，若进行16倍预取，总共有Byte的数据，超过了目前主流处理器的Cachelinesize（用于处理器缓存的基本数据单元）64Byte的数据通道，由于Cacheline的限制，DDR4没有将预取加倍，而是使用BankGroup技术，通过两个不同BankGroup的8倍预取来拼凑出一个16倍的预取，当DRAM获得了两笔数据的读命令，并且这两笔数据的内容分布在不同的BankGroup中时，由于每个BankGroup可以独立完成读取操作，两个BankGroup几乎可以同时准备好这两笔8倍数据。然后这两笔8倍数据被拼接成16倍的数据，数据的传输速度达到内部时钟频率的16倍，较DDR3提升2倍。

6）DDR5SDRAM：在BankGroup技术的基础上，使用通道拆分技术增加预取倍数，将64位的总线分成2个独立的32位通道，此时每个通道都只提供32bit数据，将预取增加到16倍，仍然保证了Cacheline的大小还是64Byte。通道拆分带来的16倍预取，叠加BankGroup增加的2倍，数据的传输速率达到内部时钟频率的32倍，较DDR4又提升2倍。

按照应用场景，DRAM分成标准DDR、LPDDR、GDDR三类。JEDEC（固态技术协会，微电子产业的领导标准机构）定义并开发了以下三类SDRAM标准，以帮助设计人员满足其目标应用的功率、性能和尺寸要求。1）标准型DDR：DoubleDataRateSDRAM，针对服务器、云计算、网络、笔记本电脑、台式机和消费类应用程序，允许更宽的通道宽度、更高的密度和不同的外形尺寸。2）LPDDR：LowPowerDoubleDataRateSDRAM，针对尺寸和功率非常敏感的移动和汽车领域，有低功耗的特点，提供更窄的通道宽度。3）GDDR：GraphicsDoubleDataRateSDRAM，适用于具有高带宽需求的计算领域，例如图形相关应用程序、数据中心和AI等，与GPU配套使用。另外，DRAM按照市场流行程度可分为主流DRAM和利基型DRAM。

DDR3是利基产品，目前主流是DDR4，DDR5跑马进场。产品不断迭代，按照市场流行程度可分为主流产品和利基产品，利基产品一般是从主流规格中退役的产品。目前市场主流DRAM是容量8GB+的DDR4/DDR5，容量在4GB及以下的DDR4、DDR3等现阶段属于利基DRAM。DDR3主要应用于液晶电视、数字机顶盒、播放机等消费型电子与网络通讯等领域，需求较为稳定，很多都是客制化晶片，不属于大众规格产品，价格主要受供给影响。（报告来源：未来智库）

1.2全球市场超70亿美金，市场萎缩但生命力持久

DDR3市场规模超70亿美金，市场逐渐萎缩，但生命力持久、中短期仍占据一定行业地位。

1）市场规模：自年JEDEC发布DDR3标准至今，DDR3（包括标准DDR3、LPDDR3）已发展15年，年在DRAM市场占比20%，预计年占比8%，年有望维持8%的占比。预计年、年市场规模将分别达到74亿美金、75亿美金。

2）市场逐渐萎缩：年DDR4/DDR4+占比超过80%，目前处于DDR4替代DDR3的切换期。DDR3市场在逐渐萎缩，其市场规模在年达到最大值亿美金，到年缩小到亿美金，市场规模年复合增长率为-20%。

3）被替代速度放缓，中短期仍占据一定行业地位。从DDR3标准的推出，到年DDR3市场规模超过DDR2，历经三年时间；从年JEDEC推出DDR4标准，到年DDR4市场规模超过DDR3，耗时6年。DDR3被DDR4完全替代的速度相对放缓。我们认为原因有二：

①主流DDR3时代导入的产品量远大于主流DDR2时导入的产品量，仅从全球PC年出货量看，根据IDC的数据，年（DDR3新发布，DDR2是主流）出货2.7亿台，年（DDR4发布，DD3是主流）出货3.5亿台，增长近30%，因为各代DDR之间不兼容，如果升级DDR，需要将CPU、主板等一并更换，替换成本高，替换成DDR4的动力减弱。

②DDR3目前主要需求落在大量的低容量低端消费电子领域。该领域产品不追求高性能，短时间内无升级需求，如WiFi路由器、家电等消费性电子产品的首选仍是DDR3，另外在汽车、工业领域，DDR3也有其较为稳定的市场，同时从DDR3切换到DDR4仰赖主控芯片厂的芯片迭代、终端市场的共同推进。DDR3的需求是来自于技术迭代过程中的滞后性，硬件迭代速度慢，我们预计这种滞后性在中短期内仍将存在。

2、中国台湾占据半壁江山，长尾市场较为稳定

2.1主流以韩美为主力，利基市场台系占据半壁江山

DRAM：全球三大原厂寡头垄断，竞争格局稳定，大陆还看长鑫。1）三足鼎立：DRAM竞争格局历经洗牌，现阶段韩国三星、韩国海力士、美国美光三大寡头垄断市场，呈现“三足鼎立”之势。2）格局稳定：年三星、海力士、美光市占率依次为43%、28%、23%，合计占比超90%，自年美光收购尔必达后，三大厂商市场率合计始终位于90%以上，年达到99%，-年因大陆厂商扩产等，三大原厂合计市占率略微下降到94%。

DRAM：大陆第二大市场但自给率极低，长鑫引领发展。1）第二大市场：根据年数据，中国是全球第二大DRAM市场，占据34%的市场，仅次于美国的39%。2）自给率极低：长鑫量产前，本土自给率几乎为0。3）长鑫引领大陆DRAM发展：长鑫是大陆首家DRAMIDM厂商，年在合肥成立，规划三期，产能共36万片/月。年19nm8GbDDR4投产，年预计将试产17nm。从制程发展看，长鑫较三大原厂及南亚仍落后，但已超过华邦。

DDR3：海外+台系CR4高达90%，大陆厂商占比亟待提高。1）三大原厂+中国台湾厂商：根据我们的测算，三星在DRAM市场、细分DDR3市场都是绝对龙头，在DRAM、DDR3市场份额分别达43%、40%，美光在DRAM、细分DDR3市场也是行业领先者，市场份额分别达23%、22%，海力士在DRAM、细分DDR3占比分别为28%、4%，因其逐渐退出DDR3市场，预计其在DDR3市场占比持续萎缩，中国台湾厂商南亚、华邦在DRAM市场份额较小但发力利基市场，南亚在DDR3市场份额达22%，华邦在DDR3市占份额达5%。2）大陆厂商：IDM厂商长鑫发布多种DRAM产品，兆易创新年量产19nm4GbDDR4,目前17nm4GbDDR3在研，北京君正(ISSI)营业收入主要是DDR3，东芯股份目前DRAM产品包括LPDDPR1、LPDDR2、DDR3。

DDR3：韩系龙头逐渐退出，台系厂商产能未就位，DDR3格局优化。三星是DDR3第一大供应商，另外占据主要份额的有海力士、美光、华邦、力晶、南亚。根据中国台湾媒体消息，三星、海力士减产DDR3，计划将产能移转至CIS或者DDR4、DDR5，三星下半年将完全停止2GbDDR3供货，2Gb以下低容量DDR3亦陆续进入EOL停产cft阶段（注：三星已对客户发出产品变更通知（PCN），4/28结束2GbDDR3生产周期，4/29是最后下单（LastTimeBuy）截止日，6/30是最后出货日期）。根据集邦咨询的消息，美光的DDR3到年都暂无结束产品周期的规划，但是DDR3产能预计转移至以生产利基产品为主的美国厂，但美国厂同时生产车用、消费类等产品，在车用存储需求增长的情况下，产能可能向毛利更高的车规产品倾斜，压缩消费类产品的供给。中国台湾厂商南亚、华邦等虽有产能扩增计划，不过实际贡献要等到-年。

料号数量：三大原厂DDR4料号数量遥遥领先，中国台湾厂商利基产品料号数量瞩目，大陆仍有差距。我们统计8家厂商

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